IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP037N06L3GXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP037N06L3GXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP037N06L3GXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 90 A (Tc) 167W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP037N06L3GXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,7mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 93µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	79 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13000 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP037

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