Name: IPB022N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.0448 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB022N12NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB022N12NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB022N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB022N12NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 29A (Ta), 167A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB022N12NM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29A (Ta), 167A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,2mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 275µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11000 pF @ 60 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB