IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA80R1K2P7XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPA80R1K2P7XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPA80R1K2P7XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 4,5 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-FP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPA80R1K2P7XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 1,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 80µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	300 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-FP
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	IPA80R1

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