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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF225R12ME4BOSA1

Digi-Key-Teilenr.
FF225R12ME4BOSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FF225R12ME4BOSA1
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul Trench Feldstopp 2 unabhängig 1200 V 320 A 1050 W Chassisbefestigung Modul
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
Gehäuse
Tablett
Product Status
Aktiv
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Konfiguration
2 unabhängig
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
320 A
Leistung - Max.
1050 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,15V bei 15V, 225A
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)
3 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
13 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Ja
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)Nicht anwendbar
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Tablett
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1152,53000 €152,53 €
Note: Due to Digi-Key value-add services the packaging type may change when product is purchased at quantities beneath the standard package.