1BPressfit
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F3L25R12W1T4B27BOMA1

Digi-Key-Teilenr.
F3L25R12W1T4B27BOMA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Beschreibung
MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
Detaillierte Beschreibung
IGBT Modul Halbbrücke 1200 V 45 A 215 W Chassisbefestigung AG-EASY1B
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
-
Gehäuse
Tablett
Product Status
Aktiv
IGBT-Typ
-
Konfiguration
Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
45 A
Leistung - Max.
215 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,25V bei 15V, 25A
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)
1 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
1.45 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Ja
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
AG-EASY1B
Basis-Produktnummer
F3L25R12
Medien und Downloads
RessourcentypLink
DatenblätterF3L25R12W1T4_B27
Datenblatt (HTML)F3L25R12W1T4_B27
EDA-/CAD-ModelleF3L25R12W1T4B27BOMA1 by Ultra Librarian
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
9 auf Lager
Sofort versandbereit
Alle Preise in EUR
Tablett
Menge Stückpreis Gesamtpreis
138,86000 €38,86 €
2435,02000 €840,48 €
Note: Due to Digi-Key value-add services the packaging type may change when product is purchased at quantities beneath the standard package.
Stückpreis ohne MwSt.:38,86000 €
Stückpreis mit MwSt.:46,24340 €
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EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
F3L25R12W1T4_B27
SP001056108
Standardverpackung24