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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 58.412
Stückpreis : 0,20000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

MMUN2233LT1G
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,11000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

SMMUN2233LT1G
onsemi
Vorrätig: 19.450
Stückpreis : 0,15000 €
Datenblatt

Ähnlich

DTC143ZCA-TP
MCC (Micro Commercial Components)
Vorrätig: 2.830
Stückpreis : 0,12000 €
Datenblatt

Ähnlich

DTC143ZKAT146
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 30.031
Stückpreis : 0,19000 €
Datenblatt

Ähnlich

MMBTRC106SS
Diotec Semiconductor
Vorrätig: 2.783
Stückpreis : 0,14000 €
Datenblatt

Ähnlich

MUN2233T1G
onsemi
Vorrätig: 16.739
Stückpreis : 0,14000 €
Datenblatt

Ähnlich

NSVMMUN2233LT3G
onsemi
Vorrätig: 10.000
Stückpreis : 0,15000 €
Datenblatt

Ähnlich

NSVMUN2233T1G
onsemi
Vorrätig: 168.000
Stückpreis : 0,16000 €
Datenblatt

Ähnlich

PDTC143ZT,215
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,13000 €
Datenblatt

Ähnlich

PDTC143ZT,235
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,14000 €
Datenblatt

Ähnlich

RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 5.639
Stückpreis : 0,16000 €
Datenblatt
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PG-SOT23
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BCR116E6393HTSA1

DigiKey-Teilenr.
BCR116E6393HTSA1-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
BCR116E6393HTSA1
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW Oberflächenmontage PG-SOT23
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Transistor-Typ
NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 bei 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
150 MHz
Leistung - Max.
200 mW
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-SOT23
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