Name: RFD16N05L
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-RFD16N05L-ND
Price: 1.75752 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RFD16N05L
DigiKey-Teilenr.	2156-RFD16N05L-ND
Hersteller	Harris Corporation
Hersteller-Teilenummer	RFD16N05L
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 50 V 16 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Harris Corporation
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	47mOhm bei 16A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±10V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-251AA
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA