Name: GT6K2P10KH
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT6K2P10KHTR-ND
Price: 0.714 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GT6K2P10KH
DigiKey-Teilenr.	3141-GT6K2P10KHTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3141-GT6K2P10KHCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3141-GT6K2P10KHDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GT6K2P10KH
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 4,3 A (Tc) 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	670mOhm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	247 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)