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Goford Semiconductor
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Datenblatt
GT700P08T
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G30N02T

DigiKey-Teilenr.
3141-G30N02T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G30N02T
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 20 V 30 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13mOhm bei 20A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
900 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
10,87000 €0,87 €
500,40240 €20,12 €
1000,35600 €35,60 €
5000,27448 €137,24 €
1.0000,24822 €248,22 €
2.0000,22611 €452,22 €
5.0000,20218 €1.010,90 €
10.0000,18740 €1.874,00 €
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