Name: G3R30MT12J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R30MT12J-ND
Price: 17.84891 EUR
Availability: OutOfStock

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G3R30MT12J
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R30MT12J-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R30MT12J
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 96 A (Tc) 459W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	G3R30MT12J Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	96 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	36mOhm bei 50A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,69V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	155 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3901 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	459W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	G3R30

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