Name: DMN1003UFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN1003UFDE-7TR-ND
Price: 0.21175 EUR
Availability: OutOfStock

DMN1003UFDE-7 steht für den Kauf zur Verfügung, befindet sich aber normalerweise nicht auf Lager.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

Diodes Incorporated

Vorrätig: 0

Stückpreis : 0,15446 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN1003UFDE-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMN1003UFDE-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN1003UFDE-7
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 12 V 22 A (Ta) 800mW (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ E)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2551 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	800mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	U-DFN2020-6 (Typ E)
Gehäuse / Hülle	6-PowerUDFN