Name: BSDH08G65E2
Brand: Bourns Inc.
SKU: 118-BSDH08G65E2-ND
Price: 3.48357 EUR
Availability: OutOfStock

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Parametrisches Äquivalent

DSC08065

Diodes Incorporated

Vorrätig: 0

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Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

FFSP0665B

onsemi

Vorrätig: 423

Stückpreis : 2,47000 €

Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

IDH08G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Vorrätig: 0

Stückpreis : 0,00000 €

Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

IDH08G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Vorrätig: 500

Stückpreis : 3,26000 €

Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

IDH09G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Vorrätig: 0

Stückpreis : 0,00000 €

Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

PCDP0865G1_T0_00001

Panjit International Inc.

Vorrätig: 1.995

Stückpreis : 3,14000 €

Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

UJ3D06508TS

onsemi

Vorrätig: 27.243

Stückpreis : 3,55000 €

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BSDH08G65E2
DigiKey-Teilenr.	118-BSDH08G65E2-ND
Hersteller	Bourns Inc.
Hersteller-Teilenummer	BSDH08G65E2
Beschreibung	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 8A Durchkontaktierung TO-220-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Bourns Inc.
Serie	BSD
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	40 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	267pF bei 1V, 1MHz
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer	BSDH08G65

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