Name: UMH2NTN
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: UMH2NTNTR-ND
Price: 0.5355 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

UMH2NTN
Digi-Key-Teilenr.	UMH2NTNTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) UMH2NTNCT-ND - Gurtabschnitt (CT) UMH2NTNDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	UMH2NTN
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250MHz 150mW Oberflächenmontage UMT6
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
Transistor-Typ	2 NPN - vorgespannt (zweif.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	47kOhm
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	47kOhm
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	68 bei 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)	500nA
Frequenz - Übergang	250MHz
Leistung - Max.	150mW
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten	UMT6
Basis-Produktnummer	UMH2

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	EMH2
Sonstige zugehörige Dokumente	UMT6 Inner Structure UMT6 Part Marking Transistor, MOSFET Flammability UMT6 DTR Reliability Test
Informationen zur Umweltverträglichkeit	UMT6 Constitution Material List Transistor, MOSFET Level 1 MSL Transistor Whisker Info UMH2N ESD Data
EDA-Modelle	UMH2NTN by Ultra Librarian
Simulationsmodelle	UMH2N Spice Model