Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 1.0829 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ7E110AJTCR
Digi-Key-Teilenr.	RQ7E110AJTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ7E110AJTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ7E110AJTCR
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 11 A (Tc) 1,5W (Tc) Oberflächenmontage TSMT8
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Product Status	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9mOhm bei 4,5A, 11V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2410 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT8
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flacher Anschluss
Basis-Produktnummer	RQ7E110

Medien und Downloads

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	RQ7E110AJ TSMT8 TR Taping Spec
Sonstige zugehörige Dokumente	Transistor, MOSFET Flammability TSMT8 Part Marking
Informationen zur Umweltverträglichkeit	Transistor Whisker Info Transistor, MOSFET Level 1 MSL RQ7E110AJ ESD Data
Datenblatt (HTML)	TSMT8 TR Taping Spec
EDA-Modelle	RQ7E110AJTCR by Ultra Librarian