TO-3PFM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGW50TK65DGVC11

Digi-Key-Teilenr.
846-RGW50TK65DGVC11-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RGW50TK65DGVC11
Beschreibung
IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Standardlieferzeit des Herstellers
30 Wochen
Detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Feldstopp 650 V 30 A 67 W Durchkontaktierung TO-3PFM
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Aktiv
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
100 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
1,9V bei 15V, 25A
Leistung - Max.
67 W
Schaltenergie
390µJ (Ein), 430µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
73 nC
Td (on/off) bei 25°C
35ns/102ns
Testbedingung
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
92 ns
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-3PFM, SC-93-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PFM
Dokumente und Medien
RessourcentypLink
DatenblätterRGW50TK65DGVC11
Produktschulungsmodule
Empfohlenes ProduktGWxx65C Series Hybrid IGBTs with Built-In SiC Diode
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
450 auf Lager
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,81000 €5,81 €
104,88100 €48,81 €
1003,94880 €394,88 €
5003,51006 €1.755,03 €
1.0003,00548 €3.005,48 €
2.0002,82999 €5.659,98 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
846-RGW50TK65DGVC11TR-ND
846-RGW50TK65DGVC11DKR
846-RGW50TK65DGVC11DKR-ND
846-RGW50TK65DGVC11CT-ND
846-RGW50TK65DGVC11
846-RGW50TK65DGVC11TR
846-RGW50TK65DGVC11CTINACTIVE
846-RGW50TK65DGVC11DKRINACTIVE
846-RGW50TK65DGVC11CT
Standardverpackung30