TO-3PFM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGTV80TK65GVC11

Digi-Key-Teilenr.
846-RGTV80TK65GVC11-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RGTV80TK65GVC11
Beschreibung
IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Standardlieferzeit des Herstellers
30 Wochen
Detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Feldstopp 650 V 39 A 85 W Durchkontaktierung TO-3PFM
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Aktiv
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
39 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
160 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
1,9V bei 15V, 40A
Leistung - Max.
85 W
Schaltenergie
1,02mJ (Ein), 710µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
81 nC
Td (on/off) bei 25°C
39ns/113ns
Testbedingung
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-3PFM, SC-93-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PFM
Dokumente und Medien
RessourcentypLink
DatenblätterRGTV80TK65GVC11
Produktschulungsmodule
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
450 auf Lager
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,76000 €5,76 €
104,83500 €48,35 €
1003,91090 €391,09 €
5003,47632 €1.738,16 €
1.0002,97661 €2.976,61 €
2.0002,80280 €5.605,60 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
846-RGTV80TK65GVC11CTINACTIVE
846-RGTV80TK65GVC11TR-ND
846-RGTV80TK65GVC11CT-ND
846-RGTV80TK65GVC11DKRINACTIVE
846-RGTV80TK65GVC11TR
846-RGTV80TK65GVC11DKR
846-RGTV80TK65GVC11DKR-ND
846-RGTV80TK65GVC11CT
846-RGTV80TK65GVC11
Standardverpackung30