Name: RGTH50TK65GC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGTH50TK65GC11-ND
Price: 6.2832 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGTH50TK65GC11
Digi-Key-Teilenr.	RGTH50TK65GC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGTH50TK65GC11
Beschreibung	IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM
Standardlieferzeit des Herstellers	45 Wochen
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 26 A 59 W Durchkontaktierung TO-3PFM
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Gehäuse	Stange
Produktstatus	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	26 A
Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	100 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 25A
Leistung - Max.	59 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	49 nC
Td (on/off) bei 25°C	27ns/94ns
Testbedingung	400V, 25A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3PFM, SC-93-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3PFM
Basis-Produktnummer	RGTH50

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	RGTH50TK65
Produktschulungsmodule	Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers

Umwelt- und Exportklassifikationen