Name: RFN10TB4SNZC9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RFN10TB4SNZC9-ND
Price: 1.9278 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RFN10TB4SNZC9
Digi-Key-Teilenr.	846-RFN10TB4SNZC9-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RFN10TB4SNZC9
Beschreibung	DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Detaillierte Beschreibung	Dioden 430 V 10A Durchkontaktierung TO-220NFM
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Produktstatus	Aktiv
Technologie	Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	430 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.55 V @ 10 A
Geschwindigkeit	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	30 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	10 µA @ 430 V
Kapazität bei Vr, F	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220NFM
Betriebstemperatur - Übergang	150°C
Basis-Produktnummer	RFN10

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	RFN10TB4SNZC9

Umwelt- und Exportklassifikationen

Eigenschaft	Beschreibung
RoHS-Status	RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)	1 (Unbegrenzt)
REACH-Status	Von REACH nicht betroffen
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.10.0080

Menge

Alle Preise in EUR

Stange