TO-220FN
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RB218T-60NZC9

Digi-Key-Teilenr.
846-RB218T-60NZC9-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RB218T-60NZC9
Beschreibung
SUPER LOW IR, 60V, 20A, ITO-220A
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Detaillierte Beschreibung
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathoden 60 V 20A Durchkontaktierung TO-220-3 voller Pack
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Aktiv
Diodenkonfiguration
1 Paar gemeinsame Kathoden
Technologie
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
60 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
20A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
830 mV @ 10 A
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 µA @ 60 V
Betriebstemperatur - Übergang
150°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FN
Basis-Produktnummer
RB218
Dokumente und Medien
RessourcentypLink
DatenblätterRB218T-60NZ
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.10.0080
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,44000 €1,44 €
101,29000 €12,90 €
1001,00600 €100,60 €
5000,83108 €415,54 €
1.0000,65612 €656,12 €
2.0000,63701 €1.274,02 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
846-RB218T-60NZC9DKR
846-RB218T-60NZC9CT
846-RB218T-60NZC9TR-ND
846-RB218T-60NZC9TR
846-RB218T-60NZC9
846-RB218T-60NZC9CT-ND
846-RB218T-60NZC9DKR-ND
Standardverpackung50