TO-220AB Full Pack
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6520KNXC7G

Digi-Key-Teilenr.
846-R6520KNXC7G-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6520KNXC7G
Beschreibung
650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Ta) 68W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
205mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 630µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1550 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6520
Dokumente und Medien
RessourcentypLink
DatenblätterR6520KNXC7G
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
999 auf Lager
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,48000 €4,48 €
103,75600 €37,56 €
1003,03830 €303,83 €
5002,70076 €1.350,38 €
1.0002,31252 €2.312,52 €
2.0002,17748 €4.354,96 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen846-R6520KNXC7G
Standardverpackung50