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R6520KNX3C16

Digi-Key-Teilenr.
846-R6520KNX3C16-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6520KNX3C16
Beschreibung
650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 220W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
205mOhm bei9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 630µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1550 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
220W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
R6520
Dokumente und Medien
RessourcentypLink
DatenblätterR6520KNX3
ProduktschulungsmoduleIndustrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
952 auf Lager
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,13000 €4,13 €
103,46800 €34,68 €
1002,80560 €280,56 €
5002,49384 €1.246,92 €
1.0002,13534 €2.135,34 €
2.0002,01065 €4.021,30 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen846-R6520KNX3C16
Standardverpackung50