TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6030ENZ4C13

Digi-Key-Teilenr.
846-R6030ENZ4C13-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6030ENZ4C13
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 305W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Stange
Product Status
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
305W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6030
Medien und Downloads
RessourcentypLink
DatenblätterR6030ENZ4
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
19,06000 €9,06 €
108,18100 €81,81 €
1006,77340 €677,34 €
5005,89820 €2.949,10 €
1.0005,13714 €5.137,14 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen846-R6030ENZ4C13
Standardverpackung30