TO-220AB Full Pack
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6020ENXC7G

Digi-Key-Teilenr.
846-R6020ENXC7G-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6020ENXC7G
Beschreibung
600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Ta) 68W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6020
Dokumente und Medien
RessourcentypLink
UNKNOWN TYPER6020ENXC7G
Videodatei
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
956 auf Lager
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,88000 €4,88 €
104,09000 €40,90 €
1003,30900 €330,90 €
5002,94140 €1.470,70 €
1.0002,51857 €2.518,57 €
2.0002,37150 €4.743,00 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen846-R6020ENXC7G
Standardverpackung50