Name: IMX25T110
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: IMX25T110TR-ND
Price: 0.5117 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMX25T110
Digi-Key-Teilenr.	IMX25T110TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IMX25T110CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IMX25T110DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	IMX25T110
Beschreibung	TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2 NPN (zweifach) 20V 300mA 35MHz 300mW Oberflächenmontage SMT6
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMX25T110 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
Transistor-Typ	2 NPN (zweifach)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	300mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	20V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	100mV bei 3mA, 30mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	820 bei 4mA, 2V
Leistung - Max.	300mW
Frequenz - Übergang	35MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SC-74, SOT-457
Gehäusetyp vom Lieferanten	SMT6
Basis-Produktnummer	IMX25

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	IMX25T110 SMT6 T110 Taping Spec
Sonstige zugehörige Dokumente	SMT6 Part Marking Transistor, MOSFET Flammability
Informationen zur Umweltverträglichkeit	IMX25 ESD Data SMT6 Constitution Material List Transistor Whisker Info Transistor, MOSFET Level 1 MSL
Design-Ressourcen	SMT6 Inner Structure
Datenblatt (HTML)	IMX25 SMT6 T110 Taping Spec
EDA-Modelle	IMX25T110 Modelle
Simulationsmodelle	IMX25 Spice Model
Reliability Documents	SMT6 BIP Reliability Test