Name: EMD12T2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: EMD12T2RTR-ND
Price: 0.4403 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

EMD12T2R
Digi-Key-Teilenr.	EMD12T2RTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) EMD12T2RCT-ND - Gurtabschnitt (CT) EMD12T2RDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	EMD12T2R
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250MHz 150mW Oberflächenmontage EMT6
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	47kOhm
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	47kOhm
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	68 bei 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	500nA
Frequenz - Übergang	250MHz
Leistung - Max.	150mW
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Gehäusetyp vom Lieferanten	EMT6
Basis-Produktnummer	EMD12

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Sonstige zugehörige Dokumente	EMT6 Part Marking Transistor, MOSFET Flammability
Informationen zur Umweltverträglichkeit	EMD12 ESD Data EMT6 Constitution Material List Transistor Whisker Info Transistor, MOSFET Level 1 MSL
Design-Ressourcen	EMT6 Inner Structure
Datenblatt (HTML)	EMD12, UMD12N
EDA-Modelle	EMD12T2R by Ultra Librarian
Simulationsmodelle	EMD12 Spice Model
Reliability Documents	EMT6 DTR Reliability Test
Produktzeichnungen	EMT-6 Package Top