AEC-Q101-konformer Gen III-GaN-FET TP65H035WSQA

Der AEC-Q101-konforme 650-V-GaN-FET von Transphorm wird für 175 °C angeboten

Abbildung: AEC-Q101-konformer Gen III-GaN-FET TP65H035WSQA von TransphormDie Hochspannungskomponente TP65H035WSQA, die für die Verwendung der JEDEC-konformen Gen III-GaN-Plattform von Transphorm gebaut wurde, bietet einen Durchlasswiderstand von 35 mΩ in einem Standard-TO247-Gehäuse und ermöglicht so eine einfache Benutzung. Es ist auch die zweite AEC-Q101-konforme GaN-Komponente des Unternehmens, die zu Transphorms Produktfamilie von Power-FETs gehört, die in verschiedenen Kundenanwendungen in der Produktion eingesetzt werden. Für diese jüngste Kfz-Qualifizierung hob Transphorm die thermischen Grenzwerte des FET auf 175 °C an, was 25 °C über den Standard-Hochspannungs-Silizium-MOSFETs mit AEC-Q101-Konformität liegt. Der TP65H035WSQA vereint diese bewährte Zuverlässigkeit mit einer 4-V-Schwelle und einem ±20-V-Gate-Robustheitsgrad. Er ist einer der derzeit hochwertigsten und zuverlässigsten (Q + R)-GaN-Leistungshalbleiter.

Endmärkte
  • Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge (PHEVs)
  • Batterie-Elektrofahrzeuge (BEVs)
  • Industrie
Endanwendungen
  • On-Board-Ladegeräte für Wechselstrom zu Gleichstrom (OBCs)
  • DC/DC-Wandler
  • DC/AC-Wechselrichtersysteme

TP65H035WSQA GaN FET

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungTyp FETVerfügbare MengeDetails anzeigen
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47A TO247-3N-Kanal112 - SofortDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2019-04-03