Serie DTMOS IV aus Super-Junction-MOSFET der 4. Generation mit 600 V, 650 V und 800 V

Die Serie der Super-Junction-MOSFET der 4. Generation von Toshiba bietet einen geringereren Anstieg des Betriebswiderstands bei hohen Temperaturen durch Nutzung des Einschritt-Epitaxieverfahrens

Abbildung: Serie von Super-Junction-MOSFET der 4. Generation von ToshibaToshiba hat die Serie DTMOS IV aus Super-Junction-MOSFET der 4. Generation mit 600 V, 650 V und 800 V entwickelt. Unter Nutzung des hochmodernen Einschritt-Epitaxieverfahrens bietet DTMOS IV im Vergleich zu seinem Vorgänger DTMOS III eine 30-prozentige Reduktion bei Ron·A, ein Gütefaktor für MOSFET. Eine Reduktion des Ron·A ermöglicht die Unterbringung von Chips mit niedrigerem Ron im gleichen Gehäuse. Das trägt zur Verbesserung der Effizienz und Reduzierung die Größe von Netzteilen bei.

Merkmale
  • 30-prozentige Reduktion des Ron·A im Vergleich zu DTMOS III
  • Geringerer Anstieg des Betriebswiderstands bei hohen Temperaturen durch Nutzung des Einschritt-Epitaxieverfahrens
  • 12-prozentige Reduktion der Schaltverluste, Eoss, im Vergleich zu Vorgänger (DTMOS III) durch Verringerung von Coss
  • Erhältlich mit vielen verschiedenen Betriebswiderständen, RDS(ON): 0,9 Ω zu 0,018 Ω (max.)
  • Verschiedene Gehäuseoptionen
    • Durchkontaktierung: TO-220, TO-220SIS, IPAK, I2PAK, TO-3P(N), TO-3P(L), TO-247
    • Oberflächenmontage: DPAK, D2PAK
Anwendungen
  • Netzteile für Kommunikationsequipment
  • Server
  • USV
  • LCD-Fernseher
  • Desktop-PC
  • Adapter
  • LED-Beleuchtung
  • Schweißgeräte
  • Drucker
  • Solar-Wechselrichter

Gen-4 Super-Junction MOSFET Series

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengeView Details
TK10A80W,S4X datasheet linkMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SISTK10A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS388 - Sofort
Link zur TK10A80W,S4X-Produktseite
TK12A80W,S4X datasheet linkMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SISTK12A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS368 - Sofort
Link zur TK12A80W,S4X-Produktseite
TK12E80W,S1X datasheet linkMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220TK12E80W,S1XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220400 - Sofort
Link zur TK12E80W,S1X-Produktseite
TK17A80W,S4X datasheet linkMOSFET N-CH 800V 17A TO220SISTK17A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS341 - Sofort
Link zur TK17A80W,S4X-Produktseite
TK17E80W,S1X datasheet linkMOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220TK17E80W,S1XMOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220390 - Sofort
Link zur TK17E80W,S1X-Produktseite
TK7E80W,S1X datasheet linkMOSFET N-CH 800V 6.5A TO220TK7E80W,S1XMOSFET N-CH 800V 6.5A TO220295 - Sofort
Link zur TK7E80W,S1X-Produktseite
Deutsch  |  English
Veröffentlicht: 2017-03-28