Trench-Gate-Feldstopp STGWA50IH65DF

Die weich schaltenden 650-V-IGBTs von STMicroelectronics sind sowohl hinsichtlich der Leitungsverluste als auch der Schaltverluste optimiert

Abbildung: Trench-Gate-Feldstopp STGWA50IH65DF von STMicroelectronicsDie IH-Serie weichschaltender 650-V-IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Feldstopp-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl hinsichtlich der Leitungsstärke als auch der Schaltverluste für die Soft-Kommutierung optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit einer niedrigen Durchlassspannung ist enthalten. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell darauf ausgelegt ist, die Effizienz für alle resonanten und weichschaltenden Anwendungen zu maximieren.

Merkmale
  • Nur für Soft-Kommutierung ausgelegt
  • Maximale Sperrschichttemperatur: Tj = 175 °C
  • VCE (gesättigt) = 1,5 V (typ.) Bei IC = 50 A
  • Minimierter Deaktivierungsstrom
  • Enge Parameterverteilung
  • Niedriger Wärmewiderstand
  • Geringer Spannungsabfall, Freilauf im Paket

STGWA50IH65DF Trench Gate Field-Stop

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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650STGWA50IH65DFTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650122 - SofortDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2019-03-14