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Quasiresonante Regler der Serie BD768xFJ-LB zur Ansteuerung des SiC-MOSFET SCT2H12NZ

Zusammen erhöhen quasiresonanter Regler BD768xFJ-LB und Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) SCT2H12NZ von ROHM Energieeffizienz in Schaltnetzteilen

Abbildung: SiC-MOSFET und quasiresonanter Regler BD768xFJ-LB von ROHM SemiconductorQuasiresonanter Regler BD768xFJ-LB

Der rauscharme, quasiresonant geregelte DC/DC-Wandler BD768xFJ-LB von ROHM bietet ein optimales System für alle Produkte, die einen elektrischen Ausgang beinhalten. Quasiresonanter Betrieb ermöglicht weiches Schalten und hilft, EMI auf geringem Niveau zu halten. Ein hohes Maß an Flexibilität wird durch Austauschen des MOSFET mit Strommesswiderständen als externe Komponenten erreicht.

Die integrierte Brownout-Funktion (Brownout = Spannungsabfall) überwacht die Eingangsspannung als Teil der Systemoptimierung. Die Burst-Mode-Funktion reduziert die Eingangsleistung bei niedriger Leistung. Die Serie BD768xFJ-LB beinhaltet verschiedene Schutzfunktionen, wie z. B. Sanftanlauffunktion, Burst-Funktion, zyklenweise Überstrombegrenzungsfunktion, Überspannungsschutzfunktion, Überlastschutzfunktion und Schutzfunktion gegen Spannungsabfall (Brownout).

Die Serie BD768xFJ-LB umfasst eine Gate-Begrenzungsschaltung zur optimalen Ansteuerung von SiC-MOSFET.

Mit einer Garantie für langjährigen Support ist diese Serie ideal für industrielle Hochspannungsanwendungen, einschließlich Industrieanlagen, AC-Adapter und Haushaltsgeräte.

Merkmale
  • 8-poliges SOP-J8-Gehäuse (6,00 mm x 4,90 mm; 1,27 mm Raster)
  • Quasiresonanter Typ (geringe EMV)
  • Frequenzreduktionsmodus
  • Geringer Stromverbrauch (19 µA) im Standby
  • Geringer Stromverbrauch im Leerlauf (Burstbetrieb bei geringer Last)
  • Maximale Frequenz (120 kHz)
  • CS-Pin-Anstiegsflankenausblendung
  • VCC-UVLO (Unterspannungsabschaltung)
  • VCC-OVP (Überspannungsschutz)
  • Pro-Zyklus-Überstromschutzschaltung
  • Sanftanlauf
  • ZT-Triggermaskenfunktion
  • Spannungsschutzfunktion (Spannungsabfall)
  • ZT-OVP (Überspannungsschutz)
  • Gate-Begrenzungsschaltung

SiC-Leistungs-MOSFET SCT2H12NZ

N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET SCT2H12NZ von ROHM mit 1700 V, 3,7 A, 1,15 Ω

Die Anwendungen umfassen Hilfsstromversorgungen und Schaltnetzteile.

Merkmale
  • Geringer Durchlasswiderstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Lange Kriechstrecke
  • Einfach anzusteuern
  • Bleifreie Leiterbeschichtung; RoHS-konform

Evaluation Board

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengeDetails anzeigen
EVAL BOARD BD7682FJ-LB SCT2H12NZBD7682FJ-LB-EVK-402EVAL BOARD BD7682FJ-LB SCT2H12NZ2 - SofortDetails anzeigen

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SCT2H12NZ N-Channel SiC Power MOSFET

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SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMN-Kanal0Details anzeigen
Veröffentlicht: 2016-01-28