ROHM Semiconductor

SiC-MOSFETs der dritten Generation für die Automobilelektronik

Die AEC-Q101-konformen MOSFETs von ROHM verwenden eine Trench-Gate-Struktur

Abbildung: Kfz-SiC-MOSFETs der 3. Generation von RenesasROHM hat sein Portfolio um zwölf SiC-MOSFETs in Automobilqualität erweitert, die die für Bordladegeräte und DC/DC-Wandler in Fahrzeugen erforderliche hohe Zuverlässigkeit bieten.

Aufgrund des wachsenden Umweltbewusstseins und der steigenden Kraftstoffkosten in den letzten Jahren bieten immer mehr Automobilhersteller Elektrofahrzeuge an. Obwohl Elektrofahrzeuge immer weiter verbreitet sind, bleibt ihre relativ kurze Reichweite problematisch. Um die Reichweite zu verbessern, tendieren Batterien zu größeren Batteriekapazitäten mit kürzeren Ladezeiten. Dies erfordert Bordladegeräte mit hoher Leistung und Effizienz, z. B. mit 11 kW und 22 kW, was zu einer verstärkten Verwendung von SiC-MOSFETs führt. Darüber hinaus erfordern Hochvoltbatterien (800 V) Stromversorgungsgeräte mit geringen Verlusten und höheren Spannungsfestigkeitswerten.

Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, hat ROHM sein Angebot an AEC-Q101-konformen MOSFETs mit Trench-Gate-Struktur um zwölf Modelle erweitert. Das Ergebnis ist ein großes Portfolio, das sowohl Varianten für 650 V als auch für 1200 V enthält.

Merkmale
  • AEC-Q101-konform
  • Erhältlich in 650 VDS oder 1200 VDS
  • Einschaltwiderstand: 17 mΩ bis 160 mΩ (typ.)
  • RoHS-konform

MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungStrom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°CBetriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 650V 21A TO247NSCT3120ALHRC11SICFET N-CH 650V 21A TO247N21 A (Tc)18V2090 - Sofort$4.91Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 17A TO247NSCT3160KLHRC11SICFET N-CH 1200V 17A TO247N17 A (Tc)18V238 - Sofort$11.81Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 30A TO247NSCT3080ALHRC11SICFET N-CH 650V 30A TO247N30 A (Tc)18V418 - Sofort$12.32Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 24A TO247NSCT3105KLHRC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N24 A (Tc)18V192 - Sofort$11.69Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 39A TO247NSCT3060ALHRC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N39 A (Tc)18V440 - Sofort$21.01Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080KLHRC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247N31 A (Tc)18V720 - Sofort$19.04Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALHRC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N70 A (Tc)18V405 - Sofort$30.65Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT3040KLHRC11SICFET N-CH 1200V 55A TO247N55 A (Tc)18V849 - Sofort$32.37Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALHRC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N93 A (Tc)18V0 - Sofort$60.87Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 72A TO247NSCT3030KLHRC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N72 A (Tc)18V579 - Sofort$51.49Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 118A TO247NSCT3017ALHRC11SICFET N-CH 650V 118A TO247N118A (Tc)18V1098 - Sofort$87.06Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 95A TO247NSCT3022KLHRC11SICFET N-CH 1200V 95A TO247N95 A (Tc)18V1127 - Sofort$98.44Details anzeigen
Veröffentlicht: 2019-06-06

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Datum der Veröffentlichung: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Datum der Veröffentlichung: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Datum der Veröffentlichung: 2023-02-06

Related Product Highlight

SiC-MOSFETs SCT der 4. Generation Die Siliziumkarbid-MOSFETs der 4. Generation von ROHM wurden entwickelt, um in anspruchsvollen Anwendungen eine überlegene Effizienz und Performance zu erzielen.

Related Articles and Blogs

Verringerung von Verlusten, Verbesserung des Wirkungsgrads und Erweiterung des Temperaturbereichs bei Anwendungen mit hoher Leistung SiC-MOSFETs der 4. Generation können eingesetzt werden, um den Wirkungsgrad erheblich zu verbessern, die Kosten zu senken und die Größe von Hochspannungs- und Hochleistungs-Steuerschaltungen zu reduzieren.
Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.

Related Product Training Modules

Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.