EPC

50-V-8,5-mΩ-GaN-FET EPC2057

Der Transistor von EPC hat einen ultraniedrigen Durchlasswiderstand von 8,5 mΩ, der die Verlustleistung erheblich reduziert und die Gesamteffizienz steigert.

Abbildung: 50-V-8,5-mΩ-GaN-FET EPC2057 von EPCDer 50-V-66-A-GaN-Feldeffekttransistor (FET) EPC2057 von EPC für gepulsten Strom wurde speziell für die wachsenden Anforderungen leistungsstarker USB-C®-Geräte entwickelt, z. B. in der Verbraucherelektronik, in der Kfz-Ladetechnik und in der eMobilität. Der Transistor zeichnet sich durch einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand von 8,5 mΩ aus, wodurch die Verlustleistung erheblich reduziert und der Wirkungsgrad insgesamt verbessert wird. Durch seinen geringen Footprint ist er ideal für räumlich begrenzte Anwendungen und ermöglicht kleinere, effizientere Netzadapter und Ladegeräte.

Merkmale/Funktionen
  • Hoher Wirkungsgrad
    • Hat einen ultraniedrigen Durchlasswiderstand von 8,5 mΩ, der die Verlustleistung erheblich reduziert und den Wirkungsgrad insgesamt erhöht
  • Kompaktes Design
    • Sehr kleiner Footprint – ideal für räumlich begrenzte Anwendungen, also kleinere, effizientere Netzadapter und Ladegeräte.
  • Schnelles Schalten
    • Die GaN-Technologie ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten, eine höhere Leistungsdichte und eine geringere Größe der passiven Komponenten, was zu kompakteren und leichteren Designs führt
  • ID: 9,6 A
  • VDS: 50 V
  • RDS(ON): 8,5 mΩ max.
Anwendungen/Zielmärkte
  • DC/DC-Wandler
  • Rechenzentren
  • KI-Server
  • USB-C Ladegeräte für Batterien
  • LED-Beleuchtung
  • Motorantriebe mit 12 V bis 24 V Eingangsspannung

EPC2057 50 V, 8.5 mΩ GaN FET

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
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Veröffentlicht: 2024-07-01

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Datum der Veröffentlichung: 2025-01-29

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