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Siliziumkarbid-MOSFET-Relais CotoMOS® S117T/S117S
Die SiC-MOSFET-Relais S117T und S117S von Coto Technology können Lastspannungen von 1700 V verarbeiten und aufrechterhalten, während sie einen Strom von bis zu 170 mA liefern
Die Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET-Relais S117T (Durchsteckversion) und S117S (oberflächenmontierbare Version) von Coto Technology sind für Lastspannungen von bis zu 1700 V ausgelegt und unterstützen Ströme von bis zu 170 mA. Die SiC-Relais S117T und S117S bieten mehrere Vorteile, darunter einen geringen Schaltverlust, eine hohe Durchbruchspannung und einen niedrigen RDS(ON)-Widerstand. Die bemerkenswerte Langlebigkeit des SiC-Materials garantiert eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen, selbst bei unterschiedlicher Luftfeuchtigkeit und über ein breites Temperaturspektrum hinweg. Diese Relais eignen sich besonders für Anwendungen, die eine hohe Spannung, hohe Temperaturen und hohe Frequenzen erfordern. Zu den wichtigsten Zielmärkten gehören Batteriemanagementsysteme, Fabrikautomatisierungssteuerungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge sowie Solarwechselrichter und intelligente Stromnetze.
- Kontaktformular: 1 A
- Lastspannung: 1700 V (AC-Spitzenwert oder DC)
- Niedriger Einschaltwiderstand: 15 Ω typ.
- Ausgangskapazität: 20 pF
- Niedriger Ableitstrom im ausgeschalteten Zustand: maximal 1 µA
- Gehäusetyp: 6-DIP oder SMD
- Siliziumkarbid-FET-Ausgang
- Batteriemanagementsysteme
- Fabrikautomatisierung und -steuerung
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV)
- Solarwechselrichter und intelligente Stromnetze
Deutschland