Die ultraschnelle epitaktische Leistungsdiode NUR460 von NXP wird im hermetisch versiegelten Gehäuse DO-201AD angeboten. Sie ist auf den diskontinuierlichen Strombetrieb (DCM) und die Blindleistungskompensation (PFC) ausgelegt. Außerdem unterstützt sie Schaltnetzteile mit hoher Frequenz.
Der NUR460-Fertigungsprozess ist so ausgelegt, dass eine epitaktische Diode mit einer Dicke von 300 μm und einem lötbaren Frontmetall an den Subunternehmer GoodArk weitergegeben wird, wo sie in ein DO-201A(SOD141)-Gehäuse eingesetzt wird. Dieser neue Fertigungsprozess für ein DJLN- und gleichzeitig lötbares Frontmetall wurde bereits vor einigen Jahren für die Herstellung einiger Bauteile in der Manchester Bipolar Wafer-Herstellung verwendet. Dieses Fertigungsverfahren basiert auf dem glaspassivierten BYV25-600 und sämtliche Testläufe wurden unter Verwendung dieses Satzes von Fotomasken und dieser Einstellungen durchgeführt, die wenn möglich aus dem Standard-Fertigungsverfahren stammten. Sie wird im Hauptwerk von Goodark in Suzhou gefertigt.
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