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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SIS413DN-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 530
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SIS413DN-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Erweiterte Beschreibung P-Channel 30V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SIS413DN
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4280pF @ 15V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 9,4 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SIS413DN-T1-GE3CT

20:38:17 1.18.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,56000 0,56
10 0,48900 4,89
25 0,45960 11,49
100 0,37520 37,52
250 0,34848 87,12
500 0,29658 148,29
1.000 0,23726 237,26

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SIS413DN-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,20876
  • Digi-Reel® ? : SIS413DN-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 530 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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