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Digi-Key Teilenummer SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 2.388
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SIJ478DP-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Erweiterte Beschreibung N-Channel 80V 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SIJ478DP
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 80V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,6 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 54 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1855 pF @ 40 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 8 mOhm @ 20 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SIJ478DP-T1-GE3CT

12:10:39 3.26.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,60000 1,60
10 1,42400 14,24
25 1,35200 33,80
100 1,11070 111,07
250 1,03824 259,56
500 0,91752 458,76
1.000 0,72435 724,35

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SIJ478DP-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,65637
  • Digi-Reel® ? : SIJ478DP-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 2.388 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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