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Digi-Key Teilenummer SIB452DK-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 789
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SIB452DK-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Erweiterte Beschreibung N-Channel 190V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SIB452DK
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1577 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 190V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 1,5 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 6,5 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 135 pF @ 50 V
Vgs (Max.) ±16V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,4 W (Ta), 13 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2,4 Ohm @ 500 mA, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-75-6L Single
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-75-6L
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SIB452DK-T1-GE3CT

09:32:42 2.20.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,72000 0,72
10 0,63500 6,35
25 0,59640 14,91
100 0,48660 48,66
250 0,45196 112,99
500 0,38464 192,32
1.000 0,30771 307,71

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SIB452DK-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,27074
  • Digi-Reel® ? : SIB452DK-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 789 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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