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Digi-Key Teilenummer SI8425DB-T1-E1CT-ND
Verfügbare Menge 2.970
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI8425DB-T1-E1

Beschreibung MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Erweiterte Beschreibung P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter S18425DB
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C -
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2800pF @ 10V
Vgs (Max.) ±10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 23 mOhm @ 2A, 4,5V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 4-WLCSP (1,6x1,6)
Gehäuse / Hülle 4-UFBGA, WLCSP
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI8425DB-T1-E1CT

05:24:10 1.21.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,56000 0,56
10 0,48900 4,89
25 0,45960 11,49
100 0,37520 37,52
250 0,34848 87,12
500 0,29658 148,29
1.000 0,23726 237,26

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI8425DB-T1-E1TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,20876
  • Digi-Reel® ? : SI8425DB-T1-E1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 2.970 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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