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Digi-Key Teilenummer SI7450DP-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 1.024
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI7450DP-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 3.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI7450DP
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1579 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds -
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,9 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 80 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI7450DP-T1-GE3CT

15:39:53 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 2,03000 2,03
10 1,81800 18,18
25 1,71520 42,88
100 1,46140 146,14
250 1,37216 343,04
500 1,20066 600,33
1.000 0,99482 994,82

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI7450DP-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,89924
  • Digi-Reel® ? : SI7450DP-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 1.024 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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