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Digi-Key Teilenummer SI7430DP-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 3.929
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI7430DP-T1-E3

Beschreibung MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Erweiterte Beschreibung N-Channel 150V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si7430DP
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1579 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 150V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 26 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 43 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1735 pF @ 50 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 5,2 W (Ta), 64 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 45 mOhm @ 5 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
 
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  • Einheitspreis 6,83000
  • 513-1192-1-ND
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI7430DP-T1-E3CT

02:41:46 3.26.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 2,42000 2,42
10 2,17000 21,70
25 2,04680 51,17
100 1,74400 174,40
250 1,63756 409,39
500 1,43288 716,44
1.000 1,18725 1.187,25

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI7430DP-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 1,07317
  • Digi-Reel® ? : SI7430DP-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 3.929 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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