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Digi-Key Teilenummer SI5403DC-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI5403DC-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Erweiterte Beschreibung P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI5403DC
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1580 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 42 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1340 pF @ 15 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 6,3 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 30 mOhm @ 7,2 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 1206-8 ChipFET™
Gehäuse / Hülle 8-SMD, flacher Anschluss
 
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  • Einheitspreis 9,93000
  • 1428-1019-1-ND
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI5403DC-T1-GE3CT

17:21:35 2.20.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,95000 0,95
10 0,85100 8,51
25 0,80760 20,19
100 0,66350 66,35
250 0,62024 155,06
500 0,54812 274,06
1.000 0,43272 432,72

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI5403DC-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,39211
  • Digi-Reel® ? : SI5403DC-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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