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Digi-Key Teilenummer SI4884BDY-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 11.419
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4884BDY-T1-E3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI4884BDY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 16,5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1525pF @ 15V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 4,45W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 9 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4884BDY-T1-E3CT

00:37:48 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,21000 1,21
10 1,08200 10,82
25 1,02680 25,67
100 0,84360 84,36
250 0,78852 197,13
500 0,69686 348,43
1.000 0,55016 550,16

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4884BDY-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 10.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,49852
  • Digi-Reel® ? : SI4884BDY-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 11.419 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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