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Digi-Key Teilenummer SI4866BDY-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 6.134
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4866BDY-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Erweiterte Beschreibung N-Channel 12V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI4866BDY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1577 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 21,5 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 80nC @ 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5020pF @ 6V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 4,45 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 5,3 mOhm @ 12A, 4,5V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4866BDY-T1-GE3CT

13:10:30 1.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,06000 1,06
10 0,94200 9,42
25 0,89400 22,35
100 0,73440 73,44
250 0,68652 171,63
500 0,60670 303,35
1.000 0,47898 478,98

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4866BDY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 5.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,43402
  • Digi-Reel® ? : SI4866BDY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 6.134 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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