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Digi-Key Teilenummer SI4866BDY-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 1.069
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4866BDY-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Erweiterte Beschreibung N-Channel 12V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI4866BDY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1577 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 21,5 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 80 nC @ 4,5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5020 pF @ 6 V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 4,45 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 5,3 mOhm @ 12 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4866BDY-T1-GE3CT

17:02:45 2.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,03000 1,03
10 0,91600 9,16
25 0,86960 21,74
100 0,71440 71,44
250 0,66780 166,95
500 0,59014 295,07
1.000 0,46590 465,90

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4866BDY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,42217
  • Digi-Reel® ? : SI4866BDY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 1.069 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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