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Digi-Key Teilenummer SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 14.664
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4435DDY-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
Erweiterte Beschreibung P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si4435DDY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1581 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 11,4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1350pF @ 15V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 5 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 24 mOhm @ 9,1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4435DDY-T1-GE3CT

15:45:21 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,62000 0,62
10 0,54800 5,48
25 0,51480 12,87
100 0,42020 42,02
250 0,39028 97,57
500 0,33216 166,08
1.000 0,26573 265,73

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4435DDY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 12.500 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,23381
  • Digi-Reel® ? : SI4435DDY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 14.664 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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