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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SI4186DY-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 224
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4186DY-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
Erweiterte Beschreibung N-Channel 20V 35.8A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI4186DY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 35,8 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,4 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 90 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3630 pF @ 10 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3 W (Ta), 6 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2,6 mOhm @ 15 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4186DY-T1-GE3CT

19:33:55 2.27.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,11000 1,11
10 0,99200 9,92
25 0,94240 23,56
100 0,77410 77,41
250 0,72360 180,90
500 0,63948 319,74
1.000 0,50484 504,84

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4186DY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,45746
  • Digi-Reel® ? : SI4186DY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 224 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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