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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SI4114DY-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 100.560
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4114DY-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Erweiterte Beschreibung N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si4114DY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1578 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,1 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 95 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3700 pF @ 10 V
Vgs (Max.) ±16 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 5,7 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 6 mOhm @ 10 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4114DY-T1-GE3CT

23:32:27 3.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,96000 0,96
10 0,86500 8,65
25 0,82040 20,51
100 0,67390 67,39
250 0,62996 157,49
500 0,55672 278,36
1.000 0,43952 439,52

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4114DY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 100.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,39827
  • Digi-Reel® ? : SI4114DY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 100.560 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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