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Digi-Key Teilenummer SI4114DY-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 88.060
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI4114DY-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Erweiterte Beschreibung N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si4114DY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1578 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,1 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 95 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3700 pF @ 10 V
Vgs (Max.) ±16V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 5,7 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 6 mOhm @ 10 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4114DY-T1-GE3CT

23:05:56 2.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,91000 0,91
10 0,81400 8,14
25 0,77280 19,32
100 0,63480 63,48
250 0,59336 148,34
500 0,52436 262,18
1.000 0,41398 413,98

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI4114DY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 87.500 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,37512
  • Digi-Reel® ? : SI4114DY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 88.060 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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