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Digi-Key Teilenummer SI3499DV-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 5.455
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI3499DV-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Erweiterte Beschreibung P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI3499DV
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 8V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 5,3 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 750 mV @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 42 nC @ 4,5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds -
Vgs (Max.) ±5 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,1 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 23 mOhm @ 7 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI3499DV-T1-GE3CT

16:49:04 3.29.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,98000 0,98
10 0,87300 8,73
25 0,82880 20,72
100 0,68100 68,10
250 0,63656 159,14
500 0,56252 281,26
1.000 0,44410 444,10

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI3499DV-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 3.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,40243
  • Digi-Reel® ? : SI3499DV-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 5.455 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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