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Digi-Key Teilenummer SI3493BDV-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 11.274
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI3493BDV-T1-E3

Beschreibung MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Erweiterte Beschreibung P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI3493BDV
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1581 (DE2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 900mV @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 43,5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 1805pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,08W (Ta), 2,97W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 27,5 mOhm @ 7A, 4,5V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI3493BDV-T1-E3CT

05:10:59 1.17.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,64000 0,64
10 0,56400 5,64
25 0,53000 13,25
100 0,43270 43,27
250 0,40192 100,48
500 0,34206 171,03
1.000 0,27364 273,64

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI3493BDV-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,24077
  • Digi-Reel® ? : SI3493BDV-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 11.275 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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