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Digi-Key Teilenummer SI3410DV-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 8.863
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI3410DV-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI3410DV
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 33 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1295 pF @ 15 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2 W (Ta), 4,1 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 19,5 mOhm @ 5 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI3410DV-T1-GE3CT

18:16:12 3.26.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,80000 0,80
10 0,70700 7,07
25 0,66440 16,61
100 0,54240 54,24
250 0,50384 125,96
500 0,42880 214,40
1.000 0,34303 343,03

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI3410DV-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 6.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,30182
  • Digi-Reel® ? : SI3410DV-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.863 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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