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Digi-Key Teilenummer SI3410DV-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 10.863
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI3410DV-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI3410DV
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 1295pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 4,1W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 19,5 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI3410DV-T1-GE3CT

17:57:57 1.17.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,78000 0,78
10 0,68500 6,85
25 0,64360 16,09
100 0,52520 52,52
250 0,48788 121,97
500 0,41520 207,60
1.000 0,33217 332,17

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI3410DV-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,29226
  • Digi-Reel® ? : SI3410DV-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10.863 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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