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Digi-Key Teilenummer SI2336DS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 6.550
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2336DS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si2336DS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 5,2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 15nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 560pF @ 15V
Vgs (Max) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta), 1,8W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 42 mOhm @ 3,8A, 4,5V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2336DS-T1-GE3CT

04:31:32 1.18.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,48000 0,48
10 0,40800 4,08
25 0,38040 9,51
100 0,30440 30,44
250 0,28276 70,69
500 0,23924 119,62
1.000 0,18487 184,87

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2336DS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 6.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,16365
  • Digi-Reel® ? : SI2336DS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 6.550 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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