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Digi-Key Teilenummer SI2336DS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 8.941
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2336DS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si2336DS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 5,2 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 15 nC @ 8 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 560 pF @ 15 V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,25 W (Ta), 1,8 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 42 mOhm @ 3,8 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2336DS-T1-GE3CT

06:46:21 2.21.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,47000 0,47
10 0,39700 3,97
25 0,37000 9,25
100 0,29610 29,61
250 0,27504 68,76
500 0,23270 116,35
1.000 0,17982 179,82

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2336DS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 6.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,15918
  • Digi-Reel® ? : SI2336DS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.941 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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