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Digi-Key Teilenummer SI2333DDS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2333DDS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Erweiterte Beschreibung P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si2333DDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 35 nC @ 8 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1275 pF @ 6 V
Vgs (Max.) ±8 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,2 W (Ta), 1,7 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 28 mOhm @ 5 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2333DDS-T1-GE3CT

10:15:45 3.27.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,41000 0,41
10 0,34600 3,46
25 0,32320 8,08
100 0,25880 25,88
250 0,24024 60,06
500 0,20328 101,64
1.000 0,15708 157,08

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2333DDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,13904
  • Digi-Reel® ? : SI2333DDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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